简介：企业实施B2B电子商务后,供应链运作效率得以提高,订单、库存、发货、付款的实时性和准确性得到改善。本文以B2B互联协议RosettaNet为例,讨论了B2B电子商务方式下电信供应商评价体系的建立,并阐述了B2B互联模式对供应商评估的重要意义。

简介：首先,阐述了软件测试标准的相关概念,揭示了测试标准在获取测试需求中的作用;然后,在分析测试用例启发式选择算法的基础上,结合实例给出了算法在保证需求覆盖率以及减少测试用例方面的优势;同时,根据算法存在的不足,提出一种基于软件运行剖面的测试用例改进算法——TestSelection算法,分析了该算法的可行性及有效性;最后,对基于运行剖面的测试用例生成及选择技术进行了展望。

简介：在波峰焊中使用氮气惰性技术可以显著减少焊渣形成，并提高焊料润湿性能。在无铅波峰焊中，应用氮气惰性保护工艺的好处会更加明显。但是，由于缺乏成熟的波峰焊氮气惰性保护技术，从而阻碍了它的广泛应用。

简介：OKInternational宣布推出新型MetcalMX-5200焊接、除焊和返修系统，此产品具备与MX-5000系列相同的高生产率和工艺控制性能，现亦增加双路同时输出端口。MX-5200现配置双路同时输出操作选项，这意味着两个手柄可以使用相同电源同时工作。动力选项使两个手柄可根据需要共享80瓦的输出功率，使应用灵活性和速度进一步增加。

简介：摘要材料组织的细化处理是同时提高材料强度和韧性最为有效途径。细晶钢能改善并提高钢材低温脆断能力。细化晶粒已成为非常重要的强韧化手段，通过细化奥氏体晶粒从而细化马氏体束尺寸，从而提高钢的强度和韧性，还可以改善钢的耐延迟断裂性能和抗疲劳性能；随着超细晶粒或超细组织的形成，屈服强度大幅度提高，细晶技术已是提高材料强韧性的首选途径。

简介：1：印刷导线宽度选择依据：印刷导线的最小宽度与流过导线的电流大小有关：线宽太小，刚印刷导线电阻大，线上的电压降也就大，影响电路的性能，线宽太宽，则布线密度不高，板面积增加，除了增加成本外，也不利于小型化。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：本文从器件和PCB安装结构发展的趋势出发，探讨了PCB组装工艺未来发展的趋势表面临的挑战，分析了应付这种挑战的对策。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：随着现代科技的不断发展，多层印制板得到了越来越广泛的应用。多层板的层压工艺是多层板生产的一个重要环节。层压工艺的好坏对于印制板品质的高低起到了决定性的作用。本文概述了国内外广泛使用的多层印制板的层压工艺，并对工艺流程进行了解释，以期对同行业层压工艺的研发与生产有所帮助。

简介：通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08mm、空腔尺寸准确度优于±0.15mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。

简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：研究了一种新型化学镀钯工艺,使用新型络合型钯盐作为钯源,采用L16(45)的正交试验和单一因素实验,研究得到了性能最佳的镀液配方及工艺条件。镀层性能测试结果表明,所制备的镍钯金镀层镀层结合力强,金属光泽性高,具有良好的耐腐蚀性和可焊性。

简介：1概述随着挠性印制板（FPC）的应用范围和应用领域的不断扩大，从FPC的应用领域和国内外市场发展规律的前景来看，FPC产品也必然会像刚性印制板产品一样，它的品种、类型、结构和档次等将会迅速增加和复杂化起来。因此，FPC所使用的基板材料也会像刚性印制板用的基板材料一样，使FPC基板材料的品种、类型、结构和挡次等也必然会走向多样化，而不仅仅是传统使用的聚酯、聚酰亚胺（PI）等数量不多基板材料。

简介：超声波清洗的发展历史超声波技术起源于20世纪,在其发展过程中历经曲折,最终达到了今天的水平.

简介：高厚度铝基板是一种特殊印制板，其具有良好的尺寸稳定性和导热性，逐渐被应用于军用设备和高科技民品领域，文章对高厚度铝基板的加工工艺进行了探讨，并对生产过程存在的问题进行分析并找出改进措施。

简介：本文针对一种陶瓷粉填充、玻璃短纤维增强的聚四氟乙烯高频介质材料，制造通讯用多层微波印制电路板进行了简单的介绍，此外，选用ARLON公司生产的25FR半固化片材料，进行微波多层印制板层压制造的工艺技术进行了较为详细的介绍。