简介：金风科技与鉴衡认证中心近日就风电专业领域的标准化项目签署合作协议。作为金风科技“未来风电场”计划中的一部分，双方合作将突破风电行业发展的固有模式，推动行业整体创新性发展。所谓“未来风电场”是指高效、智能、健康、友好的精益化风电场。与传统风电场不同，“未来风电场”将有更高标准，具有6大特点，即设计柔性、专属定制、产品智能、少人值守、收益稳定、环境友好。

简介：

简介：PWMDC／DC转换器的设计中，为了防止出现次谐波振荡，需要引入斜坡补偿电路，而传统的斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加的内部反馈环路。这会极大地限制系统带宽。文中提出了一种简单的结构来实现峰值电流模式下的斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽的限制，从而可以提高系统稳定性，使转换器有更高的开关频率。仿真结果表明．这种方法能实现电压信号准确地相加。

简介：本文主要介绍了S3R与S4R拓扑技术在通讯卫星电源中的应用。

简介：

简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。

简介：杜威说,须珍藏某种信念,必须握住某种梦想,必须有彩虹,必须有歌可唱,必须有高贵的事业可以投身。”回顾利德华福二十年成长史,几乎是整个中国高压变频器行业的发展史。在近二十年的事业生涯中,利德华福首席技术官倚鹏先生,用执着与奋进,坚守与智慧,驱动利德华福高压变频器技术与产品的长足进步,同时为国内节能减排、低碳环保的事业付出了卓越努力。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。

简介：

简介：2008年，欧姆龙为实现年度目标，通过与客户“零距离”沟通，可以灵活应对中国客户要求、提高客户生产效率和产品质量，而精心打造了“FY08综合解决方案Compactsolution秋季全国20城市巡展”。

简介：从超小型铝电解电容器CD11E的特点和性能要求出发，进行结构设计，选用主要材料，研制专用工作电解液，确定专用设备，以及分切、铆接、装配等关键工艺。根据生产实际，调整检验项目及标准，引入一系列新的检验设备和方法，实现了超小型产品的正常生产。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。