简介：还有什么问题？小孙瞧了瞧他的单子,说：＂第四个问题,厂里有一台带式输送机,从0Hz开始启动时,完全启动不起来,大约到10Hz时才突然动起来了,因为加速度太大,传输带上的半成品,常常晃动,有没有办法解决？＂

简介：本文首先分析了Buck变换器的工作原理，推导出Buck变换器电路参数的计算公式；然后介绍了Buck变换器的控制技术及其特点；最后在Matlab／Simulink下建立仿真模型。仿真结果验证了提高开关管的频率，可使得输出电压更平稳。

简介：AdHoc网络目前的主要应用领域仍然是军事方面。文中针对战场环境中装甲部队这一特殊移动自组网的运动特性及移动终端配置等特点，参考目前较为完善的AODV、DSR路由协议，提出了适用于装甲车自组网的路由协议MMAR（militarymobileadhocnetworkroutingprotocol），通过0PNET仿真表明：相对于军用移动环境，该协议比AODV、DSR能更有效地减少路由负载，并能显著提高端到端时延、相对路由开销和平均投递率等性能。

简介：本文研究了基于两相静止坐标系中的三相电压源型PWM整流器的控制方案，引入广义积分器实现三相电流在两相静止坐标系下跟踪控制。仿真结果证明了文中所提出的控制策略的有效性和可行性。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：65年前，丹麦作为西方国家，率先与新生的中华人民共和国建立外交关系。在过去的65年间，中丹友好关系不断加深，并在2008年确立了全面战略伙伴关系。正值两国同庆之际，中国中央电视台纪录片频道于2015年5月11日、12日晚间黄金时间播出《魅力丹麦》大型纪录片，全面展现丹麦风土人情、回顾中丹65年的合作发展，并以面向未来的视角探究丹麦的绿色、零碳发展理念，以期为中国的可持续发展提供参考和借鉴。节目通过丹佛斯这家丹麦零碳理念的倡导者和标志性企业，向观众直观展示丹麦绿色发展模式及其与中国的渊源。

简介：

简介：2006年1月21日，北京电力电子学会第三届理事会第二次常务理事（扩大）会议在北京金自天正智能控制股份有限公司召开。会议由理事长葛钢主持。他充分肯定了三届理事会成立以来学会工作的成绩，对全体理事对学会工作的支持表示衷心的感谢。秘书长周亚宁向会议作了工作汇报。会议就学会会刊《电力电子》的办刊问题、增补理事、2006年工作等议题进行了讨论，形成如下决议。

简介：遵照党中央国务院和中央有关部委关于加速培养高级技能人才的指示和服务于劳动者、服务于用人单位的宗旨、经国家工业和信息化部电子行业职业技能鉴定指导中心审查批准，工业和信息化部利威健电子技术职业技能鉴定培训中心，应有关企业和行业从业人员的要求，

简介：2006年10月26日至29日中国电子学会生产技术学分会在江苏常州召开了第三届青年印制电路学术年会，有170多位从事印制电路生产、科研的科技人员参加了会议，中国电子学会生产技术学分会名誉理事长郭桂庭、理事长毕克允参加了大会，并作了重要发言。

简介：一年一度的慕尼黑上海电子展felectronica＆ProductronicaChina）于3月18日在上海新国际博览中心拉开帷幕，持续到20日结束。来自国内外电子行业的知名企业纷纷盛装亮相，耀眼夺目：赛米控、英飞凌、三菱电机、富士电机、松下电工、菲尼克斯、菜姆电子、三社电机、魏德米勒、泰科、株洲南车电气时代、鹰峰电子、理察森、创格电子、嘉兴斯达半导体、町洋机电、安华高科技、美卡诺、宝德芯、普诠电子、襄樊台基半导体、威克德诺、宏微科技、天立电机、宁波高正电子、君权自动化、广州金升阳、埃德电子、日精机电、意赛亚机电等，

简介：在Bertotti分离铁耗计算模型的基础上,结合标准正弦供电时电机损耗,推导PWM控制逆变器供电下异步电机损耗的计算模型,该模型主要体现了逆变器参数与电机损耗之间的关系。在大功率和低开关频率的铁路系统中,利用上述模型更深一步地分析与总结了恒磁通和恒功率下铁损随运行频率与逆变器参数的变化规律,着重研究了低开关频率下同步调制策略对电机铁耗的影响,以一台7.5kW的电机铁损计算为例,验证了该模型的有效性与可行性,为大功率牵引传动系统电机效率提升的研究提供了参考依据。

简介：

简介：1概述社会的发展和科学技术的进步，使人们越来越清楚地认识到发展经济与环境协调的重要性。环保型的产品和绿色、环保的生产技术，已成为当今世界保持可持续性发展的趋势。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

简介：英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE（sat）IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源（UPS）以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。