简介：采用台积电（TSMC）0．1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证；改进了器件的噪声模型，给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在遵守模拟电路设计的八边形法则的基础上，对参数进行折衷考虑（trade—o国和整体优化处理。仿真结果表明，此运算放大器的各项主要参数均满足预期要求，性能优异。

简介：在集成锁相环中，压控振荡器的输出频率范围要能随所有工艺和工作条件的变化而覆盖所需的频率范围。增大压控振荡器的增益而实现宽调协范围会增加压控振荡器和锁相环的相位噪声。在这篇文章中，通过两路控制来得到压控振荡器中心频率可调，实现了非常小的压控振荡器增益。

简介：本文给出了利用0．18umCMOS工艺设计的5．2GHz低噪声放大器。在1．8V电压下，工作电流为24mA增益为15．8dB噪声系数为1．4dB.

简介：德州仪器（TI）宣布推出一款带4通道分组式延迟的串行控制16通道恒流LED驱动器，可显著简化视频显示、留言板、娱乐照明和LED指示灯等LED显示应用的设计工作。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：凌特公司(LinearTechnology)推出两款高速运算放大器产品系列。这些器件比同类产品消耗的功率低50%,同时具有超低噪声性能、轨至轨输出和完全可在3.3V下工作。LT6230/1/2与LT6233/4/5放大器的综合特征非常适合仪器、通信与医疗设备领域中的有源滤波器设计和A/D转换器的驱动。

简介：亚德诺半导体（AnalogDevices，Inc．，简称ADD旗下凌力尔特公司推出10GHz增益带宽积双差分放大器LTC6419，该器件具非常低的1．1nV／√Hz输入电压噪声密度，因而能够为宽带信号放大提供卓越的SNR性能。此外，LTC6419是低失真的，在100MHz时提供85dB无寄生动态范围（SFDR），同时驱动2VP—P信号。用4个外部电阻器设置每个放大器的差分增益，