简介:TN3622003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=IncidentangledependenceofquantumefficiencyofGaAsbasedRCEphotodetectors[刊,中]/梁琨(中科院半导体研究所.北京(100083)),杨晓红…//光子学报.-2003,32(5).-637-640采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060nm及1310nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度,器件谐振接收波长可在大范
简介:O433.597052890研究表面光学和热学特征的一种新方法—光热位移光谱=Anewmethodforthestudyofopticalandthermalpropertiesofsurfaces:photothermaldisplacementspectroscopy[刊,中]/张振杰(西北大学物理系.陕西,西安(710069))//光子学报.—1996,25(7).—585—588介绍研究固体、表面及薄膜的光学和热学特性的一种十分灵敏的探测技术。这一探测技术—光热位移光谱,是基于对样品表面吸收电磁辐射后所引起的热膨胀的测量。该技术亦适用于那些要求高真空和温度变化范围较大条件的实验研究工作。这种光谱技术还能将面吸收和体吸收很好的区分开来,入射功率面的
简介:薄膜物理与制备技术研究对于惯性约束聚变(ICF)实验具有重要意义,2003年开展的研究工作主要包括几个方面的内容:低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)法微球CH涂层及掺杂(溴等)技术研究;脉冲激光沉积(PLD)法Fe/Al合金薄膜研制;磁控溅射法Au/Gd,Ti/A1,Ti/Cr支撑薄膜研制;碳氢氮(CxNyH1-x-y)薄膜制备技术研究。相应主要结果如下:(1)利用低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)装置深入考察了以反式-2-丁烯如下: